|
APT25GR120B |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 1200V, 25A, TO247 |
|
|
APT25GR120S |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 1200V, 25A, TO-268 |
|
|
APT25GR120SD15 |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 1200V, 25A, TO-268 |
|
|
APT25GT120BRDQ2G |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 1200V, TO-247, RoHS |
|
|
APT25GT120BRG |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 1200V, TO-247, RoHS |
|
|
APT27GA90BD15 |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 900V, TO-247 |
|
|
APT30GN60BDQ2G |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 600V, TO-247, RoHS |
|
|
APT30GN60BG |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 600V, 30A, TO-247, RoHS |
|
|
APT30GP60B2DLG |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - Resonant Mode - Combi |
|
|
APT30GP60BDQ1G |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 600V, 30A, TO-247, RoHS |
|
|
APT30GP60BG |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 600V, 30A, TO-247, RoHS |
|
|
APT30GP60LDLG |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Combi |
|
|
APT30GS60BRDLG |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - Resonant Mode - Combi |
|
|
APT30GS60BRDQ2G |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 600V, TO-247, RoHS |
|
|
APT30GS60KRG |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - NPT High Frequency - Single |
|
|
APT30GT60BRDQ2G |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 600V, TO-247, RoHS |
|
|
APT30GT60BRG |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 600V, 30A, TO-247, RoHS |
|
|
APT30N60SC6 |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - Fieldstop Low Freq - Single |
|
|
APT33GF120B2RDQ2G |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 1200V, TO-247 T-MAX, RoHS |
|
|
APT33GF120BRG |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 1200V, TO-247, RoHS |
|
|
APT35GA90B |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 900V, TO-247 |
|
|
APT35GA90BD15 |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 900V, TO-247 |
|
|
APT35GN120BG |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 1200V, TO-247, RoHS |
|
|
APT35GN120L2DQ2G |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 1200V, TO-264 MAX, RoHS |
|