|
APT11GP60KG |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) |
|
|
APT13GP120BDQ1G |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 1200V, TO-247, RoHS |
|
|
APT13GP120BG |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 1200V, 13A, TO-247, RoHS |
|
|
APT15GN120BDQ1G |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 1200V, TO-247, RoHS |
|
|
APT15GN120SDQ1G |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 1200V, TO-268, RoHS |
|
|
APT15GP60BDLG |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - Resonant Mode - Combi |
|
|
APT15GP60BDQ1G |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 600V, TO-247, RoHS |
|
|
APT15GP60BG |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 600V, 15A, TO-247, RoHS |
|
|
APT15GP60KG |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Single |
|
|
APT15GP90BDQ1G |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 900V, TO-247, RoHS |
|
|
APT15GP90KG |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Single |
|
|
APT15GT120BRDQ1G |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 1200V, 15A, TO-247, RoHS |
|
|
APT15GT120BRG |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 1200V, TO-247, RoHS |
|
|
APT15GT60BRDQ1G |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 600V, TO-247, RoHS |
|
|
APT15GT60BRG |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 600V, 15A, TO-247, RoHS |
|
|
APT200GN60B2G |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 600V, TO-247 T-MAX, RoHS |
|
|
APT20GN60BDQ1G |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 600V, 20A, TO-247, RoHS |
|
|
APT20GT60BRDQ1G |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 600V, TO-247, RoHS |
|
|
APT25GN120B2DQ2G |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 1200V, T-MAX, RoHS |
|
|
APT25GN120BG |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 1200V, TO-247, RoHS |
|
|
APT25GN120SG |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 1200V, 25A, D3, TO-268, RoHS |
|
|
APT25GP120BDQ1G |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 1200V, TO-247, RoHS |
|
|
APT25GP120BG |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 1200V, 25A, TO-247, RoHS |
|
|
APT25GP90BDQ1G |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 900V, TO-247, RoHS |
|