|
APT35GP120B2DQ2G |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 1200V, TO-247 T-MAX, RoHS |
|
|
APT35GP120BG |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 1200V, 35A, TO-247, RoHS |
|
|
APT36GA60B |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 600V, TO-247 |
|
|
APT36GA60BD15 |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 600V, TO-247 |
|
|
APT40GP60B2DQ2G |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 600V, TO-247 T-MAX, RoHS |
|
|
APT40GP60SG |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Single |
|
|
APT40GR120B |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 1200V, 40A, TO-247 |
|
|
APT40GR120B2D30 |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 1200V, 30A, TO-247 T-MAX |
|
|
APT40GR120B2SCD10 |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - Power MOS 8 |
|
|
APT40GR120S |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 1200V, 40A, TO-268 |
|
|
APT40GT60BRG |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 600V, 40A, TO-247, RoHS |
|
|
APT43GA90B |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 900V, TO-247 |
|
|
APT43GA90BD30 |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 900V, TO-247 |
|
|
APT44GA60BD30 |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 600V, TO-247 |
|
|
APT45GP120B2DQ2G |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 1200V, TO-247 T-MAX, RoHS |
|
|
APT45GP120BG |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 1200V, 45A, TO-247, RoHS |
|
|
APT45GP120J |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 1200V, 45A, SOT-227 |
|
|
APT45GP120JDQ2 |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 1200V, 45A, SOT-227 |
|
|
APT45GR65B |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 650V, 45A, TO-247 |
|
|
APT45GR65B2DU30 |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - Power MOS 8 |
|
|
APT45GR65S |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) |
|
|
APT50GN120B2G |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT,1200V, T-MAX, RoHS |
|
|
APT50GN120L2DQ2G |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 1200V, TO-264 MAX, RoHS |
|
|
APT50GN60BDQ2G |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 600V, TO-247, RoHS |
|