|
IXGT20N 60BD1 |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 40 Amps 600 V 2.0 V Rds |
|
|
IXGT24N170 |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 24 Amps 1200 V 3.3 V Rds |
|
|
IXGT24N170A |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 24 Amps 1200 V 5 V Rds |
|
|
IXGT24N60B |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 48 Amps 600 V 1.7 V Rds |
|
|
IXGT24N60C |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 48 Amps 600V 2.3 Rds |
|
|
IXGT25N160 |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 75 Amps 1600V 2.5 Rds |
|
|
IXGT30N120B3D1 |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 30 Amps 1200V |
|
|
IXGT30N120BD1 |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 50 Amps 1200V 3.5 V Rds |
|
|
IXGT32N170 |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 72 Amps 1700 V 3.3 V Rds |
|
|
IXGT32N170-TRL |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IXGT32N170 TRL |
|
|
IXGT32N170A |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 72 Amps 1700 V 5.0 V Rds |
|
|
IXGT32N90B2 |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 32 Amps 900V 2.7 Rds |
|
|
IXGT32N90B2D1 |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 32 Amps 900V 2.7 Rds |
|
|
IXGT35N120B |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 70 Amps 1200V 3.3 Rds |
|
|
IXGT40N120B2D1 |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 75 Amps 1200V 3.5 V Rds |
|
|
IXGT45N120 |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 75 Amps 1200V 3.5 Rds |
|
|
IXGT50N60C2 |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 50 Amps 600V 2.5 V Rds |
|
|
IXGT50N90B2 |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 50 Amps 900V 2.7 Rds |
|
|
IXGT50N90B2D1 |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 75 Amps 900V |
|
|
IXGT60N60C3D1 |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 60 Amps 600V |
|
|
IXGT64N60B3 |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) DISC IGBT PT-MID FREQUENCY |
|
|
IXGT64N60B3-TRL |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IXGT64N60B3 TRL |
|
|
IXGT6N170 |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 12 Amps 1700 V 4 V Rds |
|
|
IXGT6N170-TRL |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IXGT6N170 TRL |
|