|
IXGP48N60C3 |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 75Amps 600V |
|
|
IXGQ180N33TCD1 |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) G-series A,B,C |
|
|
IXGQ200N30PB |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) G-series A,B,C |
|
|
IXGQ240N30PB |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) POLAR IGBTS PDP APP 300V 500A |
|
|
IXGQ28N120B |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 28 Amps 1200 V 3.5 Rds |
|
|
IXGQ96N30TBD1 |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) TRENCH IGBT W/FRED 320V 250A |
|
|
IXGR24N120C3D1 |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 48 Amps 1200V 2.75 Rds |
|
|
IXGR24N120C3H1 |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 48 Amps 1200V |
|
|
IXGR35N120BD1 |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 23 Amps 1200V 3.7 Rds |
|
|
IXGR48N60B3D1 |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 48 Amps 600V 1.7 Rds |
|
|
IXGR48N60B3D4A |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 48 Amps 600V 2 Rds |
|
|
IXGR48N60C3D1 |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 48 Amps 600V |
|
|
IXGR60N60C2G1 |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 75A |
|
|
IXGR60N60C3D1 |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 60 Amps 600V |
|
|
IXGR72N60C3 |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) DISC IGBT PT-HIFREQUENCY |
|
|
IXGR72N60C3D1 |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) G-SERIES A3/B3/C3 GENX3 IGBT 600V 75A |
|
|
IXGT10N170 |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 20 Amps 1700 V 4 V Rds |
|
|
IXGT10N170A |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 20 Amps 1700 V 7 V Rds |
|
|
IXGT15N120B |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 30 Amps 1200V 3.2 Rds |
|
|
IXGT15N120BD1 |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 30 Amps 1200V 3.2 Rds |
|
|
IXGT15N120CD1 |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 30 Amps 1200V 3.8 Rds |
|
|
IXGT16N170 |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 32 Amps 1700 V 3.5 V Rds |
|
|
IXGT16N170A |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 32 Amps 1700 V 5 V Rds |
|
|
IXGT20N 60B |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 40 Amps 600 V 2.0 V Rds |
|