 |
IXGR48N60C3D1 |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 48 Amps 600V |
|
 |
IXGR60N60C2G1 |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 75A |
|
 |
IXGR60N60C3D1 |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 60 Amps 600V |
|
 |
IXGR72N60C3 |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) DISC IGBT PT-HIFREQUENCY |
|
 |
IXGR72N60C3D1 |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) G-SERIES A3/B3/C3 GENX3 IGBT 600V 75A |
|
 |
IXGT10N170 |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 20 Amps 1700 V 4 V Rds |
|
 |
IXGT10N170A |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 20 Amps 1700 V 7 V Rds |
|
 |
IXGT15N120B |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 30 Amps 1200V 3.2 Rds |
|
 |
IXGT15N120BD1 |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 30 Amps 1200V 3.2 Rds |
|
 |
IXGT15N120CD1 |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 30 Amps 1200V 3.8 Rds |
|
 |
IXGT16N170 |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 32 Amps 1700 V 3.5 V Rds |
|
 |
IXGT16N170A |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 32 Amps 1700 V 5 V Rds |
|
 |
IXGT20N 60B |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 40 Amps 600 V 2.0 V Rds |
|
 |
IXGT20N 60BD1 |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 40 Amps 600 V 2.0 V Rds |
|
 |
IXGT24N170 |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 24 Amps 1200 V 3.3 V Rds |
|
 |
IXGT24N170A |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 24 Amps 1200 V 5 V Rds |
|
 |
IXGT24N60B |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 48 Amps 600 V 1.7 V Rds |
|
 |
IXGT24N60C |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 48 Amps 600V 2.3 Rds |
|
 |
IXGT25N160 |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 75 Amps 1600V 2.5 Rds |
|
 |
IXGT30N120B3D1 |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 30 Amps 1200V |
|
 |
IXGT30N120BD1 |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 50 Amps 1200V 3.5 V Rds |
|
 |
IXGT32N170 |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 72 Amps 1700 V 3.3 V Rds |
|
 |
IXGT32N170-TRL |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IXGT32N170 TRL |
|
 |
IXGT32N170A |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 72 Amps 1700 V 5.0 V Rds |
|