 |
IXGP28N60A3M |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) DISC IGBT PT-LOW FREQUENCY |
|
 |
IXGP2N100 |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 4 Amps 1000V 2.7 Rds |
|
 |
IXGP2N100A |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 4 Amps 1000V 3.5 Rds |
|
 |
IXGP30N120B3 |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 30 Amps 1200V |
|
 |
IXGP30N60C3 |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 30 Amps 600V |
|
 |
IXGP30N60C3C1 |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) G-SERIES GENX3SIC IGBT 600V 30A |
|
 |
IXGP30N60C3D4 |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 30 Amps 600V |
|
 |
IXGP36N60A3 |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) DISC IGBT PT-LOW FREQUENCY |
|
 |
IXGP42N30C3 |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 42 Amps 300V |
|
 |
IXGP48N60A3 |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) DISC IGBT PT-LOW FREQUENCY |
|
 |
IXGP48N60B3 |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) DISC IGBT PT-MID FREQUENCY |
|
 |
IXGP48N60C3 |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 75Amps 600V |
|
 |
IXGQ180N33TCD1 |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) G-series A,B,C |
|
 |
IXGQ200N30PB |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) G-series A,B,C |
|
 |
IXGQ240N30PB |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) POLAR IGBTS PDP APP 300V 500A |
|
 |
IXGQ28N120B |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 28 Amps 1200 V 3.5 Rds |
|
 |
IXGQ96N30TBD1 |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) TRENCH IGBT W/FRED 320V 250A |
|
 |
IXGQ96N30TCD1 |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) TRENCH IGBT W/FRED 320V 250A |
|
 |
IXGR24N120C3D1 |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 48 Amps 1200V 2.75 Rds |
|
 |
IXGR24N120C3H1 |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 48 Amps 1200V |
|
 |
IXGR35N120BD1 |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 23 Amps 1200V 3.7 Rds |
|
 |
IXGR45N120 |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 75 Amps 1200 V 3.3 V Rds |
|
 |
IXGR48N60B3D1 |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 48 Amps 600V 1.7 Rds |
|
 |
IXGR48N60B3D4A |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 48 Amps 600V 2 Rds |
|