 |
STGW75M65DF2 |
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGE |
|
 |
STGW80H65DFB |
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gte FieldStop IGBT 650V 80A |
|
 |
STGW80H65DFB-4 |
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 80 A high speed |
|
 |
STGW80H65FB |
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 80 A high speed |
|
 |
STGW80H65FB-4 |
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 80 A high speed |
|
 |
STGW80V60DF |
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate V series 600V 80A HiSpd |
|
 |
STGW80V60F |
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 80 A very high speed |
|
 |
STGW8M120DF3 |
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 8 A low loss |
|
 |
STGWA15H120DF2 |
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 15 A high speed |
|
 |
STGWA15H120F2 |
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 15 A high speed |
|
 |
STGWA15M120DF3 |
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 15 A low loss |
|
 |
STGWA15S120DF3 |
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, S series 1200 V, 15 A low drop |
|
 |
STGWA19NC60HD |
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 19A 600V Very Fast IGBT Ultrafast Diode |
|
 |
STGWA20M65DF2 |
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 20 A low loss |
|
 |
STGWA25H120DF2 |
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 25 A high speed |
|
 |
STGWA25H120F2 |
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 25 A high speed |
|
 |
STGWA25M120DF3 |
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 25 A low loss |
|
 |
STGWA25S120DF3 |
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, S series 1200 V, 25 A low drop |
|
 |
STGWA30H60DFB |
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, HB series 600 V, 30 A high speed |
|
 |
STGWA30H65DFB |
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 30 A high speed in a TO-247 long leads package |
|
 |
STGWA30H65FB |
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 30 A high speed |
|
 |
STGWA30M65DF2 |
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 30 A low loss |
|
 |
STGWA30N120KD |
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 30A 1200V short circuit rugged IGBT |
|
 |
STGWA40H120DF2 |
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 40 A high speed |
|
