|
STGFW20V60DF |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 20 A very high speed |
|
|
STGFW20V60F |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 20A Hi Spd TrenchGate FieldStop |
|
|
STGFW30H65FB |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 30 A high speed |
|
|
STGFW30V60DF |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 30 A very high speed |
|
|
STGFW30V60F |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 30A Hi Spd TrenchGate FieldStop |
|
|
STGFW40H65FB |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 40 A high speed |
|
|
STGFW40V60DF |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 40 A very high speed |
|
|
STGFW40V60F |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 40 A very high speed |
|
|
STGFW80V60F |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGE |
|
|
STGP10H60DF |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate H series 600V 10A HiSpd |
|
|
STGP10M65DF2 |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 10 A low loss |
|
|
STGP10NB60S |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-Ch 600 Volt 10 Amp |
|
|
STGP10NB60SD |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-Ch 600 V 10 A Low Drop PowerMESH |
|
|
STGP10NC60HD |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PowerMESH TM IGBT |
|
|
STGP10NC60KD |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PowerMESH" IGBT |
|
|
STGP14NC60KD |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PowerMESH" IGBT |
|
|
STGP15H60DF |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate H series 600V 15A HiSpd |
|
|
STGP15M120F3 |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop, 1200 V, 15 A, low-loss M series IGBT in a TO-220 package |
|
|
STGP15M65DF2 |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V, 15 A low loss |
|
|
STGP19NC60HD |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 19 A - 600 V very fast IGBT |
|
|
STGP19NC60KD |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 20 A - 600 V - short circuit rugged IGBT |
|
|
STGP19NC60SD |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-chnl 600V-20A Med Freq |
|
|
STGP20H60DF |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 20A High Speed Trench Gate IGBT |
|
|
STGP20M65DF2 |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 20 A low loss |
|