|
IXGH72N60A3 |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 72 Amps 600V 1.35 Rds |
|
|
IXGH72N60B3 |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 72 Amps 600V 1.7 Rds |
|
|
IXGH72N60C3 |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) G-SERIES A3/B3/C3 GENX3 IGBT 600V 72A |
|
|
IXGH85N30C3 |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 85 Amps 300V |
|
|
IXGK100N170 |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) HIGH VOLT NPT IGBTS 1700V 100A |
|
|
IXGK120N120A3 |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 120 Amps 1200V |
|
|
IXGK120N120B3 |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 200Amps 1200V |
|
|
IXGK120N60B3 |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) DISC IGBT PT-MID FREQUENCY |
|
|
IXGK320N60A3 |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 320 Amps 600V |
|
|
IXGK35N120B |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 70 Amps 1200V 3.3 V Rds |
|
|
IXGK35N120BD1 |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 70 Amps 1200V 3.3 V Rds |
|
|
IXGK400N30A3 |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 400 Amps 300V |
|
|
IXGK400N30B3 |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 400 Amps 300V |
|
|
IXGK400N30C3 |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 400 Amps 300V |
|
|
IXGK50N60BU1 |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 75 Amps 600V 2.3 Rds |
|
|
IXGK50N60C2D1 |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 50 Amps 600V 2.5V Rds |
|
|
IXGK50N90B2D1 |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 50 Amps 600V 3 Rds |
|
|
IXGK72N60A3H1 |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 75Amps 600V |
|
|
IXGK72N60C3H1 |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 75Amps 600V |
|
|
IXGK82N120A3 |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) GenX3 1200V IGBTs |
|
|
IXGK82N120B3 |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) GenX3 1200V IGBTs |
|
|
IXGL200N60B3 |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 150Amps 600V |
|
|
IXGN100N120 |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) G-series |
|
|
IXGN100N160A |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 100 Amps 1600V |
|