Тел. : 8 (812) 309-44-11     СПб, ул. Калинина, д. 2, к. 4, лит. А

Email : sales@timechips.ru

Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения

Производитель
Конфигурация
Полярность транзистора
Типичное входное сопротивление
Типичный коэффициент деления резистора
Вид монтажа
Упаковка / блок
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe
Максимальная рабочая частота
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
Непрерывный коллекторный ток
Пиковый постоянный ток коллектора
Pd - рассеивание мощности
Минимальная рабочая температура
Максимальная рабочая температура
Серия
Упаковка
Очистить фильтр
Фото Партномер Datasheet Описание Заказать
RN1105,LF(CT Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor Built-in transistor
RN1105MFV(TPL3) Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA 50volts 3Pin 2.2K x 47Kohms
RN1105MFV,L3F Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения VESM PLN TRANSISTOR Pd 150mW F 1MHz
RN1106,LF(CT Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor Built-in transistor
RN1106MFV(TPL3) Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA 50volts 3Pin 4.7K x 47Kohms
RN1106MFV,L3F Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения BRT NPN Single 100mA IC 50V VCEO
RN1107(T5L,F,T) Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения BRT NPN Single 100mA IC 50V VCEO
RN1107,LF(CT Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor Built-in transistor
RN1107MFV(TPL3) Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA 50volts 3Pin 10K x 47Kohms
RN1108MFV(TPL3) Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA 50volts 3Pin 22K x 47Kohms
RN1109(T5L,F,T) Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения BRT NPN Single 100mA IC 50V VCEO
RN1109,LF(CT Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor Built-in Transistor
RN1109MFV(TPL3) Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA 50volts 3Pin 47K x 22Kohms
RN1110,LF(CT Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor with Built-in Transistor
RN1110MFV(TPL3) Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA 50volts 3Pin 4.7Kohms
RN1110MFV,L3F Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor Built-in Transistor
RN1111(TE85L,F) Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Gen Purp Trans NPN SSM, 50V, 100A
RN1111,LF(CT Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения SSM TRANSISTOR Pd 50mW F 1Mhz (LF)
RN1111MFV(TPL3) Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA 50volts 3Pin 10Kohms
RN1111MFV,L3F Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor Built-in Transistor
RN1112MFV(TL3,T) Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor NPN 100mA 50V 22kohm
RN1112MFV(TPL3) Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA 50volts 3Pin 22Kohms
RN1113MFV(TPL3) Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA 50volts 3Pin 47Kohms
RN1113MFV,L37F Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor Built-in Transistor
Пролистать наверх
Продолжая использовать сайт, вы соглашаетесь на обработку файлов cookie и Политикой обработки персональных данных.
Принять
Отказаться
Политика конфиденциальности