РЧ МОП-транзисторы [13]

Id - непрерывный ток утечки

Усиление

Выходная мощность

Упаковка / блок

Фото	Партномер	Datasheet	Описание	Заказать
	MHT1006NT1		РЧ МОП-транзисторы 728-2700 MHz 1.26 W Avg. 28 V
	MHT1108NT1		РЧ МОП-транзисторы RF Power LDMOS Transistor for Consumer and Commercial Cooking, 2450 MHz, 12.5 W CW, 28 V
	MHT1803B		РЧ МОП-транзисторы 300W 200MHZ TO-247-3L
	MHT2000NR1		РЧ МОП-транзисторы 2500-2700 MHz 4 W Avg. 28 V
	MHT2001NR1		РЧ МОП-транзисторы RF LDMOS Integrated Power Amplifier for Consumer and Commercial Cooking, 902-928 MHz, 175 W CW, 50 V
	MMRF1004NR1		РЧ МОП-транзисторы MOSFET 1600-2200 MHz 10 W 28 V
	MMRF1005HR5		РЧ МОП-транзисторы MOSFET 1300 MHz 250 W 50 V
	MMRF1006HR5		РЧ МОП-транзисторы MOSFET 10-500 MHz 1000 W 50 V
	MMRF1006HSR5		РЧ МОП-транзисторы MOSFET 10-500 MHz 1000 W 50 V
	MMRF1007HSR5		РЧ МОП-транзисторы MOSFET 965-1215 MHz 1000 W 50 V
	MMRF1008GHR5		РЧ МОП-транзисторы Pulse Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 960-1215 MHz, 275 W, 50 V
	MMRF1008HR5		РЧ МОП-транзисторы RF Power MOSFET 960- 1215 MHz 275 W 50 V
	MMRF1008HSR5		РЧ МОП-транзисторы RF Power MOSFET 960- 1215 MHz 275 W 50 V
	MMRF1009HR5		РЧ МОП-транзисторы RF Power MOSFET 960- 1215 MHz 500 W 50 V
	MMRF1009HSR5		РЧ МОП-транзисторы RF Power MOSFET 960- 1215 MHz 500 W 50 V
	MMRF1011HR5		РЧ МОП-транзисторы Pulse Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 1400 MHz, 330 W, 50 V
	MMRF1013HR5		РЧ МОП-транзисторы Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 2700-2900 MHz, 320 W, 30 V
	MMRF1013HSR5		РЧ МОП-транзисторы Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 2700-2900 MHz, 320 W, 30 V
	MMRF1014NT1		РЧ МОП-транзисторы LATERAL N--CHANNEL RF POWER LDMOS TRANSISTOR, 1-2000 MHz, 4 W, 28 V
	MMRF1015GNR1		РЧ МОП-транзисторы Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 450-1500 MHz, 10 W, 28 V
	MMRF1015NR1		РЧ МОП-транзисторы Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 450-1500 MHz, 10 W, 28 V
	MMRF1016HR5		РЧ МОП-транзисторы Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 2-500 MHz, 600 W, 50 V
	MMRF1017NR3		РЧ МОП-транзисторы 720-960 MHz 80 W Avg. 28 V
	MMRF1018NBR1		РЧ МОП-транзисторы Broadband RF Power LDMOS Transistor, 470-860 MHz, 90 W, 50 V