 |
NGTD9R120F2SWK |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V/85A BR69 VERY FAST |
|
 |
NGTD9R120F2WP |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V/85A BR69 VERY FAS |
|
 |
NGTG12N60TF1G |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 12A IGBT TO-3PF |
|
 |
NGTG15N120FL2WG |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V/15A VERY FAST IGBT |
|
 |
NGTG15N60S1EG |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 15A 600V IGBT |
|
 |
NGTG20N60L2TF1G |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 20A IGBT TO-3PF |
|
 |
NGTG25N120FL2WG |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V/25 FAST IGBT ONLY F |
|
 |
NGTG35N65FL2WG |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V/35A FAST IGBT FSII T |
|
 |
NGTG40N120FL2WG |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V/40A FAST IGBT FSII |
|
 |
NTLUS3A40PZTAG |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) T4 20/8 PCH 2X2 8 CHANNEL |
|
 |
NTLUS3A40PZTBG |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) T4 20/8 PCH UDFN SING |
|
 |
NTLUS3A90PZTAG |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) POWER MOSFET 20V 3A 60 MO |
|
 |
NTLUS3A90PZTBG |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) POWER MOSFET 20V 3A 60 MO |
|
 |
NTTFSC4937NTAG |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) NFET U8FL 30V 50A 17 |
|
 |
RGC80TSX8RGC11 |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) REVERSE CONDUCTING IGBT |
|
 |
RGCL60TK60DGC11 |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT HIGH VOLT AND CURRENT AP |
|
 |
RGCL60TK60GC11 |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT HIGH VOLT AND CURRENT AP |
|
 |
RGCL60TS60DGC11 |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT HIGH VOLT AND CURRENT AP |
|
 |
RGCL60TS60GC11 |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT HIGH VOLT AND CURRENT AP |
|
 |
RGCL80TK60DGC11 |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT HIGH VOLT AND CURRENT AP |
|
 |
RGCL80TK60GC11 |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT HIGH VOLT AND CURRENT AP |
|
 |
RGCL80TS60DGC11 |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT HIGH VOLT AND CURRENT AP |
|
 |
RGCL80TS60GC11 |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT HIGH VOLT AND CURRENT AP |
|
 |
RGPR10BM40FHTL |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 430V 20A 1.6V Vce Ignition IGBT |
|