 |
IXGH20N120 |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 40 Amps 1200V 3 V Rds |
|
 |
IXGH20N120A3 |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) G-SERIES A3/B3/C3 GENX3 IGBT 1200V 20A |
|
 |
IXGH20N160 |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 40A |
|
 |
IXGH240N30PB |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 240 Amps 300V |
|
 |
IXGH24N120C3 |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 48 Amps 1200V |
|
 |
IXGH24N120C3H1 |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) High Frequency Range 40khz C-IGBT w/Diode |
|
 |
IXGH24N120IH |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 24 Amps 1200V |
|
 |
IXGH24N170 |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 50 Amps 1700V 3.3 V Rds |
|
 |
IXGH24N170A |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 24 Amps 1200 V 5 V Rds |
|
 |
IXGH25N100 |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1000V 50A |
|
 |
IXGH25N100AU1 |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1000V 50A |
|
 |
IXGH25N100U1 |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1000V 50A |
|
 |
IXGH25N120 |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 50 Amps 1200V 3 Rds |
|
 |
IXGH25N120A |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 25 Amps 1200V |
|
 |
IXGH25N160 |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 75 Amps 1600V 2.5 Rds |
|
 |
IXGH25N250 |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) DISC IGBT NPT-VERY HI VOLTAGE |
|
 |
IXGH28N60A3 |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) DISC IGBT PT-LOW FREQUENCY |
|
 |
IXGH28N60B3D1 |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 28 Amps 600V |
|
 |
IXGH28N90B |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 51 Amps 900V 2.5 Rds |
|
 |
IXGH2N250 |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) DISC IGBT NPT-VERY HI VOLTAGE |
|
 |
IXGH30N120B3D1 |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 60 Amps 1200V |
|
 |
IXGH30N60C3C1 |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) G-SERIES GENX3SIC IGBT 600V 30A |
|
 |
IXGH32N120A3 |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 32 Amps 1200V |
|
 |
IXGH32N170 |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 72 Amps 1700 V 3.3 V Rds |
|