 |
IHW30N120R5XKSA1 |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) TRENCHSTOP RC-H5 1350V IGBT |
|
 |
IHW30N135R3 |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTS TrenchStop RC |
|
 |
IHW30N135R3FKSA1 |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTS |
|
 |
IHW30N135R5XKSA1 |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) TRENCHSTOP RC-H5 1200V IGBT |
|
 |
IHW30N160R2 |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) RC-IGBT MONO DIODE 1600V 30A |
|
 |
IHW30N160R2FKSA1 |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) RC-IGBT MONO DIODE 1600V 30A |
|
 |
IHW30N160R5XKSA1 |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) |
|
 |
IHW30N65R5XKSA1 |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Infineon combines the industry leading performance of the TRENCHSTOP 5 family with the technology innovation of the reverse conducting RC-H IGBTs to create a new generation of best-in-class devices. Wi |
|
 |
IHW40N120R3 |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTS TrenchStop RC |
|
 |
IHW40N120R3FKSA1 |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTS |
|
 |
IHW40N120R5XKSA1 |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) TRENCHSTOP RC-H5 1350V IGBT |
|
 |
IHW40N135R3FKSA1 |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTS |
|
 |
IHW40N135R5XKSA1 |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) TRENCHSTOP RC-H5 1200V IGBT |
|
 |
IHW40N60R |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IH SeriesRev Conduct IGBT Monolithic Body |
|
 |
IHW40N60RF |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IH SeriesRev Conduct IGBT Monolithic Body |
|
 |
IHW40N60RFKSA1 |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IH SeriesRev Conduct IGBT Monolithic Body |
|
 |
IHW40N65R5 |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTS TrenchStop 5 |
|
 |
IHW50N65R5 |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTS TrenchStop 5 |
|
 |
IHW50N65R5XKSA1 |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTS TrenchStop 5 |
|
 |
IKA06N60T |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) LOW LOSS DuoPack 600V 6.2A |
|
 |
IKA08N65ET6XKSA1 |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Discrete 650 V TRENCHSTOP IGBT6 with soft, fast recovery anti-parallel Rapid diode |
|
 |
IKA08N65F5 |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) ENGINEERING SAMPLES TRENCHSTOP-5 IGBT |
|
 |
IKA08N65F5XKSA1 |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTS |
|
 |
IKA08N65H5 |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTS |
|