Тел. : 8 (812) 309-44-11     СПб, ул. Калинина, д. 2, к. 4, лит. А

Email : sales@timechips.ru

Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения

Производитель
Конфигурация
Полярность транзистора
Типичное входное сопротивление
Типичный коэффициент деления резистора
Вид монтажа
Упаковка / блок
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe
Максимальная рабочая частота
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
Непрерывный коллекторный ток
Пиковый постоянный ток коллектора
Pd - рассеивание мощности
Минимальная рабочая температура
Максимальная рабочая температура
Серия
Упаковка
Очистить фильтр
Фото Партномер Datasheet Описание Заказать
RN2708JE(TE85L,F) Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения ESV PLN (LF) TRANSISTOR Pd=200mW F=1MHz
RN2709JE(TE85L,F) Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения ESV PLN (LF) TRANSISTOR Pd=200mW F=1MHz
RN2710JE(TE85L,F) Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения ESV PLN (LF) TRANSISTOR Pd=200mW F=1MHz
RN2711(TE85L,F) Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения BRT PNP 2-in-1 Ic -100mA -50V VCEO
RN2711JE(TE85L,F) Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения ESV PLN (LF) TRANSISTOR Pd=200mW F=1MHz
RN2712JE(TE85L,F) Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения ESV PLN (LF) TRANSISTOR Pd=200mW F=1MHz
RN2713JE(TE85L,F) Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения ESV PLN (LF) TRANSISTOR Pd=200mW F=1MHz
RN2901FE(TE85L,F) Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения ES6 PLN (LF) TRANSISTOR Pd=200mW F=200MHz
RN2902,LF(CT Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor Built-in transistor
RN2902FE,LF(CT Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor Built-in transistor
RN2903,LF(CT Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor Built-in transistor
RN2903FE(TE85L,F) Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения ES6 PLN (LF) TRANSISTOR Pd=200mW F=200MHz
RN2904FE,LF(CT Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor Built-in transistor
RN2905,LF(CT Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor Built-in transistor
RN2905FE(TE85L,F) Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Gen Trans PNP x 2 ES6, -50V, -100A
RN2906,LF Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения US6-PLN
RN2906,LF(CT Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor Built-in transistor
RN2907FE,LF(CT Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor Built-in transistor
RN2908FE(TE85L,F) Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения ES6 PLN (LF) TRANSISTOR Pd=100mW F=1MHz
RN2909FE(TE85L,F) Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения ES6 PLN (LF) TRANSISTOR Pd=100mW F=1MHz
RN2910FE,LF(CT Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor Built-in transistor
RN2911,LF Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения US6-PLN
RN2911FE(TE85L,F) Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения ES6 PLN (LF) TRANSISTOR Pd=100mW F=1MHz
RN2961(TE85L,F) Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения US6 PLN (LF) TRANSISTOR Pd 200mW F 1MHz
Пролистать наверх
Продолжая использовать сайт, вы соглашаетесь на обработку файлов cookie и Политикой обработки персональных данных.
Принять
Отказаться
Политика конфиденциальности