 |
MWI75-12T7T |
|
Дискретные полупроводниковые модули 75 Amps 1200V |
|
 |
MWI75-12T8T |
|
Дискретные полупроводниковые модули 75 Amps 1200V |
|
 |
MWI80-12T6K |
|
Дискретные полупроводниковые модули 80 Amps 1200V |
|
 |
ND104N12K |
|
Дискретные полупроводниковые модули 1200V 160A |
|
 |
ND104N16K |
|
Дискретные полупроводниковые модули 1600V 160A |
|
 |
ND104N18K |
|
Дискретные полупроводниковые модули 1800V 160A |
|
 |
ND171N12K |
|
Дискретные полупроводниковые модули 1200V 270A |
|
 |
ND171N14K |
|
Дискретные полупроводниковые модули 1400V 270A |
|
 |
ND171N16K |
|
Дискретные полупроводниковые модули 1600V 270A |
|
 |
ND171N18K |
|
Дискретные полупроводниковые модули 1800V 270A |
|
 |
ND175N34K |
|
Дискретные полупроводниковые модули |
|
 |
ND260N12K |
|
Дискретные полупроводниковые модули 1200V 410A |
|
 |
ND260N14K |
|
Дискретные полупроводниковые модули 1400V 410A |
|
 |
ND260N16K |
|
Дискретные полупроводниковые модули 1600V 410A |
|
 |
ND261N26K |
|
Дискретные полупроводниковые модули 2600V 410A |
|
 |
ND89N16K |
|
Дискретные полупроводниковые модули 1600V 140A 20MM |
|
 |
PS-RDN20 |
|
Дискретные полупроводниковые модули 21-28VDC 0-20A REDUNDANCY BUFFER |
|
 |
STE145N65M5 |
|
Дискретные полупроводниковые модули N-channel 650 V, 0.012 Ohm typ., 143 A MDmesh M5 Power MOSFET in an ISOTOP package |
|
 |
STE60N105DK5 |
|
Дискретные полупроводниковые модули N-channel 1050 V, 0.110 Ohm typ., 46 A MDmesh DK5 Power MOSFET in an ISOTOP package |
|
 |
STIB1060DM2T-L |
|
Дискретные полупроводниковые модули SLLIMM 2nd series IPM, 3-phase inverter 10 A, 0.20 Ohm max, 600 V MDmesh DM2 |
|
 |
STIB1560DM2-L |
|
Дискретные полупроводниковые модули SDIP2B-26L |
|
 |
STIB1560DM2T-L |
|
Дискретные полупроводниковые модули SLLIMM 2nd series IPM, 3-phase inverter 15 A, 0.150 Ohm max, 600 V MDmesh DM2 |
|
 |
STT1400N16P55XPSA1 |
|
Дискретные полупроводниковые модули THYR / DIODE MODULE DK |
|
 |
STT1900N16P55XPSA1 |
|
Дискретные полупроводниковые модули THYR / DIODE MODULE DK |
|
