W53P3C
Технические характеристики
  • Продукт Phototransistors
  • Упаковка / блок T-1 3/4
  • Вид монтажа Through Hole
  • Пиковая длина волны -
  • Рабочее напряжение питания -
  • Максимальный ток коллектора во включенном состоянии 0.5 mA
  • Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 30 V
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер 30 V
  • Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 0.8 V
  • Темновой ток 100 nA
  • Время нарастания 3 us
  • Время спада 3 us
  • Pd - рассеивание мощности 100 mW
  • Минимальная рабочая температура - 40 C
  • Максимальная рабочая температура + 85 C
  • Серия -
Пролистать наверх