PTMC210124MD-V1-R5
Технические характеристики
  • Вид монтажа SMD/SMT
  • Упаковка / блок PG-HB1DSO-14-1
  • Тип Wideband LDMOS Two-stage Integrated Power Amplifier
  • Технология Silicon
  • Рабочая частота 1805 MHz to 2200 MHz
  • P1dB - точка сжатия -
  • Усиление 30.5 dB
  • Рабочее напряжение питания 0 V to 32 V
  • NF - коэффициент шумов -
  • Тестовая частота 2170 MHz
  • OIP3 - перехват составляющих третьего порядка -
  • Рабочий ток источника питания -
  • Минимальная рабочая температура -
  • Максимальная рабочая температура + 225 C
  • Квалификация -
  • Серия -
  • Упаковка Reel
Пролистать наверх