A2T18S262W12NR3

• ПроизводительNXP Semiconductorst

• Полярность транзистора N-Channel
• Технология Si
• Id - непрерывный ток утечки 3.2 A
• Vds - напряжение пробоя сток-исток - 500 mV, 65 V
• Rds Вкл - сопротивление сток-исток -
• Усиление 19.3 dB
• Выходная мощность 56 W
• Минимальная рабочая температура - 40 C
• Максимальная рабочая температура + 150 C
• Вид монтажа SMD/SMT
• Упаковка / блок OM-880X-2
• Упаковка Reel