AGR09030EF
- ПроизводительAdvanced Semiconductor, Inc.t
Технические характеристики
- Полярность транзистора N-Channel
- Технология Si
- Id - непрерывный ток утечки 4.25 A
- Vds - напряжение пробоя сток-исток 65 V
- Rds Вкл - сопротивление сток-исток -
- Усиление -
- Выходная мощность -
- Минимальная рабочая температура - 65 C
- Максимальная рабочая температура + 200 C
- Вид монтажа -
- Упаковка / блок -
- Упаковка Tray