BF510,215
Технические характеристики
  • Тип транзистора JFET
  • Технология Si
  • Усиление -
  • Полярность транзистора N-Channel
  • Vds - напряжение пробоя сток-исток 20 V
  • Vds - напряжение пробоя затвор-исток 20 V
  • Id - непрерывный ток утечки 30 mA
  • Выходная мощность -
  • Максимальное напряжение сток-затвор 20 V
  • Минимальная рабочая температура -
  • Максимальная рабочая температура + 150 C
  • Pd - рассеивание мощности 250 mW
  • Вид монтажа SMD/SMT
  • Упаковка / блок SOT-23
  • Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel
Пролистать наверх