CG2H80030D-GP4
Технические характеристики
  • Тип транзистора HEMT
  • Технология GaN
  • Усиление 16.5 dB
  • Полярность транзистора N-Channel
  • Vds - напряжение пробоя сток-исток 120 V
  • Vds - напряжение пробоя затвор-исток - 10 V, 2 V
  • Id - непрерывный ток утечки 3 A
  • Выходная мощность 30 W
  • Максимальное напряжение сток-затвор -
  • Минимальная рабочая температура -
  • Максимальная рабочая температура + 225 C
  • Pd - рассеивание мощности -
  • Вид монтажа SMD/SMT
  • Упаковка / блок Die
  • Упаковка Gel Pack
Пролистать наверх