1214-30
- ПроизводительMicrochip / Microsemit
Технические характеристики
- Серия -
- Тип транзистора Bipolar
- Технология Si
- Полярность транзистора NPN
- Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe20
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 50 V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO) 3.5 V
- Непрерывный коллекторный ток 4 A
- Минимальная рабочая температура -
- Максимальная рабочая температура + 200 C
- Конфигурация Single
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок 55AW-1
- Квалификация -
- Упаковка -