MMBT5401-G
Технические характеристики
  • Серия MMBT5401
  • Тип транзистора Bipolar Power
  • Технология Si
  • Полярность транзистора PNP
  • Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe50
  • Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. - 150 V
  • Напряжение эмиттер-база (VEBO) - 5 V
  • Непрерывный коллекторный ток - 0.6 A
  • Минимальная рабочая температура - 55 C
  • Максимальная рабочая температура + 150 C
  • Конфигурация Single
  • Вид монтажа SMD/SMT
  • Упаковка / блок SOT-23
  • Квалификация -
  • Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel
Пролистать наверх