NSVF5501SKT3G
- ПроизводительON Semiconductort
Технические характеристики
- Серия -
- Тип транзистора -
- Технология -
- Полярность транзистора NPN
- Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe100
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 10 V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO) 3 V
- Непрерывный коллекторный ток 70 mA
- Минимальная рабочая температура - 55 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Конфигурация Single
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок SOT-623-3
- Квалификация AEC-Q101
- Упаковка Cut Tape, Reel