2N2857/TR
- ПроизводительMicrochip / Microsemit
Технические характеристики
- Серия -
- Тип транзистора Bipolar
- Технология Si
- Полярность транзистора NPN
- Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe30
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 15 V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO) 3 V
- Непрерывный коллекторный ток 40 mA
- Минимальная рабочая температура - 65 C
- Максимальная рабочая температура + 200 C
- Конфигурация Single
- Вид монтажа Through Hole
- Упаковка / блок TO-72-4
- Квалификация -
- Упаковка Reel