BFR843EL3E6327XTSA1
Технические характеристики
  • Серия -
  • Тип транзистора Bipolar
  • Технология SiGe
  • Полярность транзистора NPN
  • Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe230
  • Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 2.25 V
  • Напряжение эмиттер-база (VEBO) -
  • Непрерывный коллекторный ток 55 mA
  • Минимальная рабочая температура -
  • Максимальная рабочая температура -
  • Конфигурация -
  • Вид монтажа SMD/SMT
  • Упаковка / блок TSLP-3
  • Квалификация -
  • Упаковка Cut Tape, Reel
Пролистать наверх