MMBTH11
Технические характеристики
  • Серия MMBTH11
  • Тип транзистора Bipolar
  • Технология Si
  • Полярность транзистора NPN
  • Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe60
  • Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 25 V
  • Напряжение эмиттер-база (VEBO) 3 V
  • Непрерывный коллекторный ток 0.05 A
  • Минимальная рабочая температура - 55 C
  • Максимальная рабочая температура + 150 C
  • Конфигурация Single
  • Вид монтажа SMD/SMT
  • Упаковка / блок SOT-23
  • Квалификация -
  • Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel
Пролистать наверх