BFP 640 H6327
Технические характеристики
  • Серия BFP640
  • Тип транзистора Bipolar
  • Технология SiGe
  • Полярность транзистора NPN
  • Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe110
  • Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 4 V
  • Напряжение эмиттер-база (VEBO) 1.2 V
  • Непрерывный коллекторный ток 50 mA
  • Минимальная рабочая температура - 65 C
  • Максимальная рабочая температура + 150 C
  • Конфигурация Single
  • Вид монтажа SMD/SMT
  • Упаковка / блок SOT-343
  • Квалификация -
  • Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel
Пролистать наверх