BFP 640FESD H6327
Технические характеристики
  • Серия BFP640
  • Тип транзистора Bipolar
  • Технология SiGe
  • Полярность транзистора -
  • Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe-
  • Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. -
  • Напряжение эмиттер-база (VEBO) 4.8 V
  • Непрерывный коллекторный ток 50 mA
  • Минимальная рабочая температура -
  • Максимальная рабочая температура -
  • Конфигурация -
  • Вид монтажа SMD/SMT
  • Упаковка / блок TSFP-4-1
  • Квалификация -
  • Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel
Пролистать наверх