2SJ661-1E
- ПроизводительON Semiconductort
- DatasheetСкачать
Технические характеристики
- Технология Si
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок TO-263-3
- Количество каналов 1 Channel
- Полярность транзистора P-Channel
- Vds - напряжение пробоя сток-исток 60 V
- Id - непрерывный ток утечки 38 A
- Rds Вкл - сопротивление сток-исток 29.5 mOhms
- Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток -
- Vgs - напряжение затвор-исток 20 V
- Qg - заряд затвора 80 nC
- Минимальная рабочая температура -
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Pd - рассеивание мощности 65 W
- Конфигурация Single
- Канальный режим Enhancement
- Квалификация -
- Коммерческое обозначение -
- Упаковка Tube