2N7000TA

• ПроизводительON Semiconductort

• Технология Si
• Вид монтажа Through Hole
• Упаковка / блок TO-92-3
• Количество каналов 1 Channel
• Полярность транзистора N-Channel
• Vds - напряжение пробоя сток-исток 60 V
• Id - непрерывный ток утечки 200 mA
• Rds Вкл - сопротивление сток-исток 1.2 Ohms
• Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток -
• Vgs - напряжение затвор-исток 20 V
• Qg - заряд затвора -
• Минимальная рабочая температура - 55 C
• Максимальная рабочая температура + 150 C
• Pd - рассеивание мощности 400 mW
• Конфигурация Single
• Канальный режим -
• Квалификация -
• Коммерческое обозначение -
• Упаковка Ammo Pack