MMBFJ309LT1G
- ПроизводительON Semiconductort
- DatasheetСкачать
Технические характеристики
- Технология -
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок SOT-23-3
- Полярность транзистора N-Channel
- Конфигурация Single
- Vds - напряжение пробоя сток-исток 25 V
- Vds - напряжение пробоя затвор-исток 25 V
- Ток стока при Vgs=0 12 mA to 30 mA
- Id - непрерывный ток утечки -
- Rds Вкл - сопротивление сток-исток -
- Pd - рассеивание мощности -
- Минимальная рабочая температура -
- Максимальная рабочая температура -
- Серия MMBFJ309L
- Квалификация -
- Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel