IXYH50N120C3
- ПроизводительIXYSt
Технические характеристики
- Технология Si
- Упаковка / блок TO-247AD-3
- Вид монтажа Through Hole
- Конфигурация Single
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.5 V
- Максимальное напряжение затвор-эмиттер 30 V
- Непрерывный коллекторный ток при 25 C 105 A
- Pd - рассеивание мощности 625 W
- Минимальная рабочая температура - 55 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Серия IXYH50N120
- Квалификация -
- Упаковка Tube