NGTB20N135IHRWG
- ПроизводительON Semiconductort
- DatasheetСкачать
Технические характеристики
- Технология Si
- Упаковка / блок TO-247
- Вид монтажа Through Hole
- Конфигурация Single
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1350 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.2 V
- Максимальное напряжение затвор-эмиттер 25 V
- Непрерывный коллекторный ток при 25 C 40 A
- Pd - рассеивание мощности 394 W
- Минимальная рабочая температура - 40 C
- Максимальная рабочая температура + 175 C
- Серия NGTB20N135IHR
- Квалификация -
- Упаковка Tube