RGT30NS65DGTL
- ПроизводительROHM Semiconductort
- DatasheetСкачать
Технические характеристики
- Технология Si
- Упаковка / блок TO-263-3
- Вид монтажа SMD/SMT
- Конфигурация -
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 650 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.65 V
- Максимальное напряжение затвор-эмиттер 30 V
- Непрерывный коллекторный ток при 25 C 30 A
- Pd - рассеивание мощности 133 W
- Минимальная рабочая температура - 40 C
- Максимальная рабочая температура + 175 C
- Серия RGT30NS65D
- Квалификация -
- Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel