AFGHL40T65SPD

• ПроизводительON Semiconductort

• Технология Si
• Упаковка / блок TO-247-3
• Вид монтажа Through Hole
• Конфигурация Single
• Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 650 V
• Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.85 V
• Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V
• Непрерывный коллекторный ток при 25 C 80 A
• Pd - рассеивание мощности 267 W
• Минимальная рабочая температура - 55 C
• Максимальная рабочая температура + 175 C
• Серия -
• Квалификация AEC-Q101
• Упаковка Tube