NGTB40N120FL2WG

• ПроизводительON Semiconductort
• DatasheetСкачать

• Технология Si
• Упаковка / блок TO-247
• Вид монтажа Through Hole
• Конфигурация Single
• Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V
• Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2 V
• Максимальное напряжение затвор-эмиттер 30 V
• Непрерывный коллекторный ток при 25 C 80 A
• Pd - рассеивание мощности 535 W
• Минимальная рабочая температура - 55 C
• Максимальная рабочая температура + 175 C
• Серия NGTB40N120FL2
• Квалификация -
• Упаковка Tube