VS-GP400TD60S
- ПроизводительVishay Semiconductorst
- DatasheetСкачать
Технические характеристики
- Технология Si
- Упаковка / блок DIAP
- Вид монтажа Chassis Mount
- Конфигурация Dual
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер -
- Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V
- Непрерывный коллекторный ток при 25 C 758 A
- Pd - рассеивание мощности 1.563 kW
- Минимальная рабочая температура - 40 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Серия -
- Квалификация -
- Упаковка -