RGT30TM65DGC9

• ПроизводительROHM Semiconductort
• DatasheetСкачать

• Технология Si
• Упаковка / блок TO-220-3
• Вид монтажа Through Hole
• Конфигурация Single
• Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 650 V
• Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.65 V
• Максимальное напряжение затвор-эмиттер 30 V
• Непрерывный коллекторный ток при 25 C 14 A
• Pd - рассеивание мощности 32 W
• Минимальная рабочая температура - 40 C
• Максимальная рабочая температура + 175 C
• Серия -
• Квалификация -
• Упаковка Tube