STGF10NB60SD
- ПроизводительSTMicroelectronicst
Технические характеристики
- Технология Si
- Упаковка / блок TO-220-3 FP
- Вид монтажа Through Hole
- Конфигурация Single
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.8 V
- Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V
- Непрерывный коллекторный ток при 25 C 20 A
- Pd - рассеивание мощности 25 W
- Минимальная рабочая температура - 55 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Серия STGF10NB60SD
- Квалификация -
- Упаковка Tube