IXGP2N100A
Технические характеристики
- Технология Si
- Упаковка / блок TO-220-3
- Вид монтажа Through Hole
- Конфигурация Single
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1000 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер -
- Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V
- Непрерывный коллекторный ток при 25 C -
- Pd - рассеивание мощности -
- Минимальная рабочая температура - 55 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Серия IXGP2N100
- Квалификация -
- Упаковка Tube