IXGN320N60A3
- ПроизводительIXYSt
Технические характеристики
- Технология Si
- Упаковка / блок SOT-227B-4
- Вид монтажа SMD/SMT
- Конфигурация Single Dual Emitter
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер -
- Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V
- Непрерывный коллекторный ток при 25 C -
- Pd - рассеивание мощности -
- Минимальная рабочая температура - 55 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Серия IXGN320N60
- Квалификация -
- Упаковка Tube