NGTD30T120F2WP
- ПроизводительON Semiconductort
Технические характеристики
- Технология Si
- Упаковка / блок -
- Вид монтажа -
- Конфигурация -
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. -
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер -
- Максимальное напряжение затвор-эмиттер -
- Непрерывный коллекторный ток при 25 C -
- Pd - рассеивание мощности -
- Минимальная рабочая температура -
- Максимальная рабочая температура -
- Серия -
- Квалификация -
- Упаковка Bulk