APT25GT120BRDQ2G
- ПроизводительMicrochip / Microsemit
- DatasheetСкачать
Технические характеристики
- Технология Si
- Упаковка / блок TO-247-3
- Вид монтажа Through Hole
- Конфигурация Single
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1.2 kV
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 3.2 V
- Максимальное напряжение затвор-эмиттер 30 V
- Непрерывный коллекторный ток при 25 C 54 A
- Pd - рассеивание мощности 347 W
- Минимальная рабочая температура - 55 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Серия -
- Квалификация -
- Упаковка Tube