AFGHL50T65SQDC
- ПроизводительON Semiconductort
- DatasheetСкачать
Технические характеристики
- Технология SiC
- Упаковка / блок TO-247-3
- Вид монтажа Through Hole
- Конфигурация Single
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 650 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.6 V
- Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V
- Непрерывный коллекторный ток при 25 C 100 A
- Pd - рассеивание мощности 268 W
- Минимальная рабочая температура - 55 C
- Максимальная рабочая температура + 175 C
- Серия -
- Квалификация AEC-Q101
- Упаковка Tube