MG12100S-BN2MM
- ПроизводительLittelfuset
- DatasheetСкачать
Технические характеристики
- Технология -
- Продукт IGBT Silicon Modules
- Конфигурация Dual
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.7 V
- Непрерывный коллекторный ток при 25 C 140 A
- Ток утечки затвор-эмиттер 400 nA
- Pd - рассеивание мощности 450 W
- Упаковка / блок Package S
- Минимальная рабочая температура - 40 C
- Максимальная рабочая температура + 125 C
- Квалификация -
- Упаковка Bulk