FF200R06KE3

• ПроизводительInfineon Technologiest
• DatasheetСкачать

• Технология -
• Продукт IGBT Silicon Modules
• Конфигурация Dual
• Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
• Напряжение насыщения коллектор-эмиттер -
• Непрерывный коллекторный ток при 25 C 260 A
• Ток утечки затвор-эмиттер -
• Pd - рассеивание мощности -
• Упаковка / блок 62 mm
• Минимальная рабочая температура - 40 C
• Максимальная рабочая температура + 150 C
• Квалификация -
• Упаковка Tray