STGIF10CH60TS-L
- ПроизводительSTMicroelectronicst
Технические характеристики
- Технология -
- Продукт IGBT Silicon Modules
- Конфигурация 3-Phase Inverter
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.6 V
- Непрерывный коллекторный ток при 25 C 10 A
- Ток утечки затвор-эмиттер -
- Pd - рассеивание мощности 26 W
- Упаковка / блок SDIP2F-26L
- Минимальная рабочая температура - 40 C
- Максимальная рабочая температура + 125 C
- Квалификация -
- Упаковка Bulk